型号:SP8K2FU6TB | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 30 毫欧 @ 6A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 10.1nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 520pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
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深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
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